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Text File  |  1995-01-19  |  3KB  |  70 lines
  1. ; configuration file for Stanford CMOS -- with worst case dynamic numbers
  2. ; Dynamic resistance is at 4.5V and 130C
  3.  
  4. capm2a    .00000    ; 2nd metal capacitance -- area, pf/sq-micron
  5. capm2p    .00020    ; 2nd metal capacitance -- perimeter, pf/micron
  6. capma    .00003    ; 1st metal capacitance -- area, pf/sq-micron
  7. capmp    .00020    ; 1st metal capacitance -- perimeter, pf/micron
  8. cappa    .00007    ; poly capacitance -- area, pf/sq-micron
  9. cappp    .00020    ; poly capacitance -- perimeter, pf/micron
  10. capda    .00030    ; n-diffusion capacitance -- area, pf/sq-micron
  11. capdp    .00030    ; n-diffusion capacitance -- perimeter, pf/micron
  12. cappda    .00030    ; p-diffusion capacitance -- area, pf/sq-micron
  13. cappdp    .00030    ; p-diffusion capacitance -- perimeter, pf/micron
  14. capga    .00058    ; gate capacitance -- area, pf/sq-micron
  15.  
  16.  
  17.  
  18. lambda    1.5    ; microns/lambda (conversion from .sim file units
  19.         ; to units used in cap parameters)
  20.  
  21. lowthresh  0.4    ; logic low threshold as a normalized voltage
  22. highthresh 0.6    ; logic high threshold as a normalized voltage
  23.  
  24. cntpullup 0    ; <>0 means that the capacitor formed by gate of
  25.         ; pullup should be included in capacitance of output
  26.         ; node
  27.  
  28. diffperim 0    ; <>0 means do not include diffusion perimeters
  29.         ; that border on transistor gates when figuring
  30.         ; sidewall capacitance (*)
  31.  
  32. subparea 0    ; <>0 means that poly over transistor region will not
  33.         ; be counted as part of the poly-bulk capacitor (*)
  34.  
  35. diffext  0    ; diffusion extension for each transistor, i.e., each
  36.         ; transistor is assumed to have a rectangular source
  37.         ; and drain diffusion extending diffext units wide and
  38.         ; transistor-width units high.  The effect of the
  39.         ; diffusion extension is to add some capacitance to
  40.         ; the source and drain node of each transistor --
  41.         ; useful when processing the output of NET to improve
  42.         ; the capacitive loading approximations without adding
  43.         ; explicit load capacitors.  diffext is specified in
  44.         ; lambda (it will be converted using the lambda factor
  45.         ; above).
  46.  
  47. ; resistance parameters follow
  48. ; These numbers are for the version of rsim that was modified by
  49. ; M Horowitz so rstatic is used to approx the transistor gm and 
  50. ; dynamic resistances are used for the vthev calc.
  51. ; These parameters should be close to worst case numbers
  52. ;n-channel *****************************************************
  53. resistance n-channel dynamic-low    12.0     4.0    9000.0
  54. resistance n-channel dynamic-high     12.0    4.0    18000.0
  55. resistance n-channel-with-drop dynamic-low     12.0    4.0    24000.0
  56. ;the case below should never occur
  57. resistance n-channel-with-drop dynamic-high     12.0     4.0    100000.0
  58. resistance n-channel static        12.0     4.0    9000.0
  59. resistance n-channel-with-drop static    12.0     4.0    9000.0
  60.  
  61. ; p-channel *****************************************************
  62. resistance p-channel dynamic-low    12.0     4.0    36000.0
  63. resistance p-channel dynamic-high     12.0    4.0    18000.0
  64. resistance p-channel-with-drop dynamic-high     12.0    4.0    36000.0
  65. ;the case below should never occur
  66. resistance p-channel-with-drop dynamic-low     12.0     4.    2000000.0
  67. resistance p-channel static         12.0    4.0    18000.0
  68. resistance p-channel-with-drop static     12.0    4.0    18000.0
  69.  
  70.